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2025-08-14
每日财经(Mrcj88.cn)讯:
美国加利福尼亚州森尼韦尔, June 24, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成电路有限公司(简称三安集成),一个拥有化合物半导体晶圆铸造先进技术平台代工厂今日宣布,运用于最新高压AC/DC和DC/AC电力电子领域的150mn硅基氮化镓(GaN)代工服务正式面向全球市场。三安集成的新G06P111是650V增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)GaN过程增加了公司的电力电子晶片铸造组合的宽禁带化合物半导体(银行),包括100毫米和150毫米碳化硅(SiC)高压肖特基势垒二极管(作为)。凭借其多年在LED领域氮化镓量产制造经验的母公司三安光电股份有限公司, 三安集成能够补充与内部金属的铸造服务增长能力的高电压、低泄漏硅基氮化镓外延晶片高一致性。...